Hynix DDR3内存获Intel认证

韩国Hynix海力士半导体公司近日宣布，他们从Intel获得了业界首个DDR3内存的认证。

获得Intel认证的是Hynix 1Gb DDR3内存颗粒，使用Hynix的80nm制程生产，可以用于制造1GB或2GB的Unbuffered-DIMM PC内存条。这些颗粒可以在1.5V电压下运行800MHz或1066MHz频率，800MHz下延迟为5-5-5或6-6-6，1066MHz下为7-7-7。

Hynix的1Gb DDR3颗粒将于第三季度开始量产，Hynix希望在年底前将制程升级到66nm。