飞利浦研发可自毁MRAM

MRAM全称是magnetoresistive RAM（磁阻RAM），最早起源于上世纪80年代，由Honeywell和摩托罗拉公司开发。MRAM拥有非易失性，但数据读写速度远远高于闪存，同时也不会像闪存那样出现随时间退化问题。今年早些时候，飞思卡尔已经宣布量产MRAM。MRAM内的数据通过磁性原理储存在芯片内的一层薄膜内，一旦不速之客将芯片打开，可以较为简单的得到内部的数据。这也成了MRAM的一个缺陷。而如今，这个心腹之患可以被扫除了。飞利浦公司或许是从《碟中谍》电影中得到了启发，开发出了可自毁的MRAM。

飞利浦的技术是将存储薄膜放置在一层软性金属的包围中，并在其上覆盖另一层磁性薄膜。如果芯片封装完好，金属外壳像一层铁丝网一样保护着数据。使永磁体放出的磁通量形成一个完整的回路，避免磁力线通过MRAM的存储部分。但如果有人想打开外壳得到存储层，则完整的磁线回路也会被切断，芯片内的磁性数据一瞬间便会被经过的磁通量彻底破坏。

飞利浦目前已经为此项技术申请了专利，这里可以看到完整的专利文档。

http://appft1.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO1&Sect2=HITOFF&d=PG01&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsrchnum.html&r=1&f=G&l=50&s1=%2220060179490%22.PGNR.&OS=DN/20060179490&RS=DN/20060179490