IBM、TDK合作开发MRAM磁性存储

IBM公司和TDK公司近日宣布了一项合作研发计划，共同开发MRAM（磁阻RAM），该技术利用一种名为“自旋动量转移”的效应进行存储，据称可以大大提高存储密度。

MRAM有着存储单元体积小，功耗低，速度快和非易失性的优势。它拥有者无限的读写寿命，速度高于闪存，将来可以用在PC内存中以实现瞬间开机。目前，MRAM由于成本的问题而没有得到广泛采用。Freescale公司已经于去年首先宣布量产MRAM。