尔必达50nm DDR3颗粒开发完成

日本尔必达公司今天宣布，公司已经完成50nm制程DDR3 SDRAM的开发工作。该颗粒创下多项业界第一，如全球最节能，封装体积最小，同时实现了2.5Gbps的高速度和1.2V的低电压。

该DDR3颗粒采用了193nm浸润式光刻技术制造，单颗芯片面积不到40平方毫米。除支持DDR3内存标准的1.5V电压外，还可支持1.35V或1.2V的低电压工作，功耗比70nm制程产品降低50%以上。数据传输率有800Mbps、1066Mbps、1333Mbps、1600Mbps、1866Mbps、2133Mbps和2500Mbps多档。

尔必达表示，采用50nm制程的DDR3颗粒将于明年第一季度开始量产。公司同时还宣布使用50nm工艺，开发针对高端消费电子产品的Mobile RAM存储芯片产品。