东芝43nm大容量SLC NAND闪存发布

东芝公司今天宣布，其采用43nm制程的大容量SLC NAND闪存颗粒已经成功商品化，按不同封装形式和容量共分为16款，将于明年一季度起陆续开始量产。

东芝的43nm SLC NAND闪存提高了单个存储单元的容量，相比上代56nm颗粒容量提高了一倍，而SLC颗粒的速度也是MLC颗粒的2.5倍。16款产品容量从512Mbit到64Gbit不等，分为BGA和TSOP封装，其中16Gbit、32Gbit、64Gbit三款高端产品是目前业界SLC闪存市场上的最大容量。

规格以16Gbit型号为例，编号TC58NVG4S2EBA00，供电电压3.3v，指令时间400μs/page，擦除时间4ms/block，存取时间40μs（首次）或25ns（持续），封装尺寸是14×18mm。