Hynix开发超高速DDR2手机存储芯片

韩国半导体厂商Hynix海力士周日宣布，他们已经成功开发出了全球最高速的手机存储芯片产品。

这款LPDDR2（低功耗DDR2）内存容量为1Gbit，采用66nm工艺制造，运行电压1.2V。据称，该存储芯片的速度高达800Mbit/s，是目前市场上的最高速产品。

Hynix官方表示，他们将与今年第四季度开始量产这款LPDDR2存储芯片，针对手机和其他移动设备市场。